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DQ-PEEK®CMP

2024-03-13

化学机械抛光(CMP)工艺是硅晶圆生产中非常重要的一个步骤。晶圆尺寸越大,芯片就越小,芯片上的线宽和纹路尺寸也就越小。找到满足性能需求的理想材料是一大挑战,因为CMP工艺需要由高性能材料制成的组件。通过与客户紧密合作,夺奇与港科大专门开发了满足这些要求的材料。

由于稳定性更高,加工误差更少

       在化学机械抛光过程中,由于研磨环必须在抛光过程中夹住晶圆,所以材料会与不同的浆料接触。浆料会对处理组件产生负面影响。此外,材料还需要承受机械负载,因此应具有良好的弹性、韧性或强度。
       要制造研磨环,需要材料具有极高的加工精度和尺寸稳定性,以减少晶圆中微刮伤的发生几率,确保提高可用IC的产量。尺寸稳定性可能会受高机械负载、高温或潮湿环境的影响。

       整个CMP过程中,高纯度至关重要。因此,研磨环还必须具有很高的纯度。这意味着材料不应被铝或铜等金属污染,以避免划伤晶圆表面。同时,研磨环的材料应具有低渗气性能。

特殊应用需要使用特殊的材料

        通常,研磨环采用普通PPS材料。虽然,PPS材料常是一种不错的材料选择,但仍有改进空间。DOQ-PPS CMP是一款经过特别改性的材料,材料性能有所改进,以满足CMP工艺的要求,下文进行了详细说明。
        PPS CMP材料的特点是具有较高的耐磨性,是PPS行业标准的两倍以上(见图1)。它具有非常好的热性能和机械性能,例如高拉伸强度和弯曲强度(见图2),因此在清洁晶圆或测试过程中使用非常方便。结合良好的耐化学性和耐溶剂性,以及良好的摩擦性能,提高了塑料组件的使用寿命。

磨损率:

图1

强度: